在 2007 年，DDR3 將功耗降低，與 DDR2 相比大約降低了 40%，並將預先擷取資料加倍至 8 位元。 DDR 運作時約使用 2.5V，DDR2 平均約為 1.8V，而 DDR3 的電壓則降為 1.5V。 DDR3 的傳輸速率介於 800MT/s 和 1600MT/s 之間。 DDR2 於 2003 年推出，由於匯流排信號的提升，它處理外部資料的速度是 DDR 的兩倍。 DDR2 會以與 DDR 相同的內部時脈運作，然而傳輸速率因為輸入/輸出匯流排信號的提升而變快。
目前市場上有4G、8G、16G、32G 四種容量為主，無論是文書、遊戲或繪圖用途，建議最少裝到8G。 2021年11月第12代上市搭配600系列主機板有支援DDR5記憶體，現在2022年是DDR4與DDR5的世代交替之際。 DDR5記憶體的真正普及需要兩到三年時間，而據市場調研機構Omdia預測，在整個DRAM市場中，2022年DDR5記憶體市場佔有率將達到10%，而在2024年，這一占有將進一步提升至43%。
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如果你是一般使用者，建議不要去超頻，你為了超頻還要特地買可超頻的記憶體，就算真的讓你超上去了，你也感覺不出來有沒有比較快，但你又會擔心超頻影響壽命的問題。 答：這種2條裝的雙通道記憶體跟使用者自己插2支跑雙通道，就速度上來說是一樣的，除非你有記憶體超頻需求，否則建議是買單條裝的就好，如果是2條裝的雙通道的記憶體，萬一以後其中一條故障必需2條一起送修，麻煩。 開機後佔用3G，把常用的軟體全部打開後目前共用了7.4G(佔47%)，也就是說，這一台雖然還能再插2條記憶體，但你加了其實對電腦的效能來說幫助不大，因為目前只佔47%。 自1946年以來，范紐曼型架構以「儲存程式」的電腦設計理念，奠定了電腦科學軟體與硬體分離的基礎。 舊有的標準傳輸率僅為1600、1866、2133以及2400MT/s（12/15，14/15，16/15以及18/15GHz的時脈速率，雙倍資料率），2666和3200MT/s（20/15以及24/15GHz的時脈速率）也有提供，但當時的規格尚未落定。 2008年一本關於半導體製程的書籍《Wafer ddr4 記憶體 Level 3-D ICs Process Technology》受到了關注，無標明製程的類比電子元件，例如電荷泵浦（charge pump）以及穩壓器，另外額外的電路「可允許增加一定的特定頻寬，但這樣會消耗更多的晶圓面積」。
記憶體需要業界一致標準化的原因之一，是因為電腦製造商需要知道記憶體的電力參數與實體形狀，以便設計安裝於其電腦中。 由於每一代記憶體的電力參數不同，可藉由實體形狀的改變來防止在電腦中安裝錯誤的記憶體。 因此，這不是在 SDRAM 和 DDR 之間進行選擇的問題，因為電腦僅可使用同一代的記憶體。 SDRAM 和 DDR 世代不能直接互換使用，所以您的系統僅能支援適當的 RAM。 在通道架構方面，DDR5每個DIMM上有兩個通道，且每DIMM提供兩個獨立的40位元資料通道（包含8位元ECC），快取記憶體行仍為64位元組。
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因此為了避免意外插入錯誤類型的記憶體，凹口的位置已經做了調整。 每個模組擁有 288 ddr4 記憶體 個針腳，而非以往的 240 個針腳。 DDR4 能達到每針腳 2Gbps 以上的速率，且耗電量低於 DDR3L (省電型 DDR3)；DDR4能降低整體運算環境的電壓，讓效能及頻寬能力增加多達 50%。 因此不僅比先前的記憶體技術還要出色許多，而且能節省電力多達約 40%。 超頻記憶體在開啟自動讀取超頻數值(XMP or D.O.C.P)時的頻率及穩定性，會依據主機板及CPU的差異而產生不同結果。
- 記憶體需要業界一致標準化的原因之一，是因為電腦製造商需要知道記憶體的電力參數與實體形狀，以便設計安裝於其電腦中。
- 與SDR SDRAM相比，DDR SDRAM在時鐘週期內，遇正緣與負緣都將觸發訊號傳輸，功耗並未增加，但資料傳輸速率卻提升了一倍。
- DDR4 的效率比 DDR3 更高，減少的消耗功率最高可達 40%，每個模組僅需要 1.2V。
- 三星于2011年製造了第一個DDR4存儲器控制台，預計該技術將在2014年的某個時候進入消費市場。
雖然這兩個槽口都位於插入端上，但 DDR4 上的槽口位置有點不同，這是為了避免將模組安裝至不相容的主機板或平台中。 類似功能，其實在先前對應Chrome瀏覽器的外掛程式都有類似設計，而微軟也曾在以Chromium架構打造的Microsoft Edge加入不常用分頁休眠設計，標榜讓休眠後的分頁佔用記憶體比例減少高達83%。 而在電力節省部分，則會在筆電裝置的電力低於20%時，限制網頁內容於後台相關活動，並且減少動畫、影片內容播放視覺效果。 其中，針對記憶體最佳化部分，將使較不常使用分頁進入睡眠模式，當使用者再次點開分頁時才會重新載入頁面內容，藉此精簡最多達30%記憶體佔用資源。 十銓 T-FORCE DELTA DDR5 RGB 7200MHz 記憶體開箱評測報告 最早出現於 電腦DIY。
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第一代 SDRAM 記憶體工作頻率為66MHz（PC66），但很快由於Intel和AMD的頻率之爭，將CPU外頻拉高到100MHz，所以PC66記憶體很快就被PC100記憶體取代，接著133MHz外頻的PIII以及K7時代於焉來臨。 此外，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM的整體性能，大幅將頻寬提高到1GB/sec以上的理論值。 由於SDRAM 為六十四位元之規範 ，正好對應處理器六十四位元的資料頻寬，也因此它只需要單條記憶體便可穩定工作，方便性進一步提高。 在性能方面，由於其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO記憶體。 在2015年的今天，無論是手機或是個人電腦，記憶體與處理器之間的數據傳輸，已經走到GB級世代。 ddr4 記憶體 消費級主機板搭載2~8條記憶體插槽，X99晶片組最大支援至128GB，隨著處理器的運算速度越來越快，傳輸的數據越來越多，只要記憶體儲放資料的空間夠大，實體位址足夠應付傳輸數據不被塞滿，那麼作業的流暢度也就會更無滯無礙。
2015年8月上旬，英特爾發布Skylake微架構的CPU，Core i7-6700K和Core i5-6600K以及Z170晶片組，支援DDR4。 其後除了Core m系列不支援DDR4之外，Core i全系列型號均全數支援，不過這些處理器同時也支援DDR3L記憶體（低電壓版DDR3記憶體），只是DDR3L和DDR4不能同時使用，只能二者擇其一。 隨著 DDR3 已無法滿足全球目前對效能與頻寬的需求，新一代的 DDR SDRAM 已經隆重登場…DDR4 可提升效能、增加 DIMM 儲存容量、改良資料完整性，以及降低耗電量。 圖 / 胖達非常看好英特爾與美光所開發出來的3D XPoint技術，其儲存的資料比 DRAM 高出十倍，讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多，簡直就是外星科技的火力展示。 在新一代DDR4的架構中，傳輸部份採用了點對點設計，也就是每一個晶片控制器對應專屬唯一的通道，也就是說一口出水井只對應一條輸水管，如此一來就不易受到瓶頸效應所帶來的限制，模組設計更加簡化、頻率提昇也更加容易。 相信大家對於DDR4最感興趣的，莫過於速度與容量上的提昇。
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首先 TechSpot 先提供一些知名遊戲會使用多少 RAM 的觀察圖，我也把幾個比較重要的列出來。 組 遊戲電腦 時，雖然最重要的關鍵是顯示卡，等級越高能帶來的遊戲體驗相對也更好，但 RAM 記憶體也是缺一不可的硬體。 而現在 RAM 的價格不像以前這麼便宜，DDR4 16GB 至少都要快三張小朋友才能買到，對預算吃緊的人來說是一筆不小花費，因此很多人可能就會退居考慮 8GB，但 8GB 真的夠嗎？ 最近就有外媒針對記憶體這部分，進行了一連串遊戲、跑分測試，用最實際的數字，來告訴你 8GB、16GB 還是 32GB，哪一個才是最符合時下的 RAM 選擇。 2020 Micron Technology, Inc. 保留所有權利。 DDR 每週期會將二位元的資料從記憶體陣列傳輸到內部輸入/輸出緩衝區。
- 如因業務需要有必要委託第三者提供服務時，本公司亦會嚴格要求其遵守保密義務，並且採取必要檢查程序以確定其將確實遵守。
- 注意：DDR5跟DDR4不能混插，你如果選擇了DDR4，將來是不能升級成DDR5的，除非你把主機板跟記憶體全部換掉。
- SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：為同步動態隨機存取記憶體，字首的Synchronous告訴了大家這種記憶體的特性，也就是同步。
- 此回，DDR4-xxxx以及PC4-xxxx中的「xxxx」都代表資料傳輸率（MT/s），「DDR4-xxxx」適用於記憶體晶片而「PC4-xxxx」則用於已組裝完成的DIMM記憶體模組。
功耗的降低將導致手機和平板電腦等便攜式設備的電池壽命更長。 DDR4不會從根本上改變內存的運行方式，但它具有一個新的命令信號來指示活動命令。 ddr4 記憶體 / ACT命令合併了先前的過程，當使用活動命令時，該過程需要三個單獨的命令。 答：單通道是64bit，如果是雙通道或多通道可以提供128~256bit的頻寬，理論上約有2~4倍的效能提升，請注意這只是理論上，以目前DDR4記憶體來說，文書用途有沒有雙通道真的沒差別，遊戲或繪圖用途建議雙通道會比較好。 對於DDR5記憶體標準，JEDEC固態技術協會將其視為具有革命意義的記憶體架構。 隨著資料中心、邊緣運算等迅速發展，對於低延遲、低功耗、大頻寬和高速率的需求進一步提高。
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而且，在效能提升的前提下，還比DDR3 SDRAM擁有更好的功耗表現，得益於更高的記憶體顆粒製程以及DDR4只有1.05V至1.2V的供電電壓（DDR3的為1.2V至1.65V），最大電流值僅和DDR3相當。 對於伺服器市場，還提供Banks切換特性，但也就這樣使得伺服器用DDR4記憶體與電腦版本的DDR4記憶體從物理層面上就無法互用。 Fast Page DRAM，簡稱之為FP RAM，是被廣泛運用的一種改良型DRAM，主流區分為30pin與72pin兩種規格，工作電壓為5V，主流容量僅有1MB和2MB兩種可供消費者選擇。
另一方面則是在有著很好的品質保障下，美光產品的價格還是能夠維持在市場相當有競爭力的狀態。 也因此對於不懂 SSD、記憶體的人來說，美光是個相當不容易踩雷且划算的選擇。 前文提到，NAND 型快閃記憶體在讀取或寫入資料時，不會直接針對某個記憶體單元動作，而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。 相較之下，3D XPoint 則可指定特定的記憶體單元，經由電路把資料存入，這些電路被排列成水平與垂直線，其交會點可為每一個單元創造位址。 另一方面，英特爾攜手美光於今年7月29日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，據稱其儲存的資料比 DRAM 高出十倍，讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多。
ddr4 記憶體: 組 遊戲電腦 時，記憶體多少才夠？8GB、16GB 還是 32GB
如果我們把位元想像成電燈，那麼一個電燈的開與關，可用（0，1）作為描述符號；但如果要讓以無數電路組成的電腦，模擬出人類慣用的十進位數字規則（0 ~ 9），單只有一個位元是不夠的，至少必需要四個位元才足夠涵括。 除此之外，記憶體技術各領域的應用，諸如：數位相機、隨身碟、手機等，皆對人類文明的發展，有著更上一層樓的突破。 因此，筆者這次便淺談記憶體的發展史及其相關運用，希望大家能夠有一個基本而簡單的瞭解。 雖然 DDR5 記憶體模組外觀本身看起來與 DDR4 很相似，但有一些重大變革導致其與舊系統不相容。 改變腳位 (中間的凹口) 的位置，以避免被安裝到不相容的插槽中。 伺服器級 DDR5 RDIMM 和 LRDIMM 在模組末端增加溫度感測器，以監控 DIMM 整體的散熱狀況。
它還能在不降低更高速的通道效率的情況下擴充記憶體效能，且這不僅體現在測試中，更體現在真實使用情況中。 Crucial ddr4 記憶體 DDR5 記憶體推出時的運作速度即可達 4800MT/s，為目前 ddr4 記憶體 DDR4 標準最高速度的 1.5 倍。 隨著巨量資料爆發式增長，對算力的要求日益提高，記憶體也隨之朝向更高容量、更快速度、更低能耗、更小尺寸等方向不斷發展。
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預期計劃DDR4在2013年的DRAM市場上獲得5%的市場佔有率，大約2015年普及並佔有50%的市佔率。 然而到2013年，DDR4的市場普及計劃被延期至2016年或以後。 DDR3至DDR4的市場普及過渡速度將比DDR2過渡至DDR3的要快上不少，DDR3花大約5年才從市場佔有率上超過DDR2。
所以整體來看，以目前 DDR5 的價位就不太值得，因為只有少部分軟體你能感受到差異（如：WinRAR），其他就還好，特別是遊戲，所以預算沒有太多的人，就建議選 DDR4，等到 DDR5 降的差不多再換會比較好。 答：DDR4-2133跟2400有相容，但H110-A，這張主機板最多只能插2條記憶體，因此你沒有辦法同時插4支，而且記憶體最高只能支援到32G，這一點請注意。 如果單條的買2條，插上去也可以跑雙通道，並不是你要買一組兩條俗稱雙胞胎的記憶體才能跑雙通道，但如果你有如果您有記憶體超頻需求，那建議要買一組兩條的雙通道記憶體理論上會比較好超。 系統方面WIN7專業版及WIN10 / WIN11家用版 64位元最高支援到128G 記憶體，WIN10/11 專業版 64位元支援到2TB。
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另外，A12被用作請求突發突變（burst chop）：在 4 transfers 進行以後截斷一個 8-transfer 突發。 儘管直到8個傳輸時間過去之前bank仍然處於忙碌狀態並且其他命令不可用，不同的bank可供存取。 JEDEC，記憶體標準的主體制定組織，在2005年時已經著手DDR3 SDRAM的繼任標準，此時離DDR3標準亮相的2007年還有2年。 在技術差異方面，DDR4 擁有更快的速度 (最低從 2133MHz 起 )，而此速度對 DDR3 而言已相當高端。 要開始使用，請按下下面的“接受”以顯示Cookie 管理面板。
隨後，處理器對記憶體容量的需求不斷增大，記憶體進入SIMM時代。 從30pin到72pin的反覆運算過程中，單個記憶體頻寬從8位元增加到32位元，記憶體容量也從256KB增長至512KB甚至更大。 DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬，但由於電壓標準、物理介面等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致，因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣，不會向下相容。 現時，超微和英特爾兩大x86處理器廠商推出的大部分處理器產品都支援DDR4-SDRAM。 除了效能達到最佳化、運算成本低且更環保，DDR4也增強了信號完整性，並支援所有的 RAS 功能；同時也藉由提供循環冗餘核對 功能改善資料傳輸的可靠性、其晶片上的同位偵測功能，更提升了系統運行中「命令與位址」傳輸作業的完整性。
不過，到了DDR4世代，在資料預取上仍沿用DDR3的8n資料預取架構而未有提昇，因此最終DDR4導入了Bank Group分組架構，作為提昇效能的手段之一。 推出甫半年的X99平臺，首次導入了千呼萬喚始出來的DDR4記憶體模組。 相較於DDR3記憶體，DDR4無論在外在或是內在上，都有了更大幅度的演進。 首先，DDR3以前的記憶體，金手指都是以平直態在使用者面前呈現，而DDR4在金手指設計上，則略顯彎曲狀。 圖 / DDR3時代開始，市場開始流行Kit包，簡單來說，就是廠商挑選好同規格、同製程之同對同捆包，在超頻使用上更加穩定可靠。
十銓科技T-FORCE XTREEM ARGB DDR4電競記憶體堅持採用嚴選顆粒，皆經過完整相容性與可靠度的測試，提供玩家品質優異、效能卓越、兼具穩定性與相容性的DDR4電競記憶體。 這種記憶體的原理，是運用一種特殊合金為開發基礎，其擁有結晶與不定形的兩種形態，這種合金在結晶時電阻低，導電性極佳；但在不定形狀態下電阻就變得很高。 因此我們便可以利用通電來改變結晶或不定形，來重新訂義0與1的資料予以存取。 這種方式在效果上類似憶阻器，和現行快閃記憶體相較之下，讀寫速度號稱可以快上近百倍，更驚人的是，可以穩定地使用數百萬個寫入循環，相對於現在流行的快閃記憶體約數幾千次壽命便宣告結束，可以說是讓人期待的新技術。 除上述所言，IBM在PCM的基礎上，成功發展出一套方法，將原本在一個單位的電晶體上，僅能儲存1bit（0、1）兩種狀態，變成可以儲存2bit（00、01、10、11）四種狀態，如此一來，容量瞬間翻倍。
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